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1、該論文的主要目的就是通過對(duì)各種不同結(jié)構(gòu)的壓力傳感器的測(cè)試、比較，設(shè)計(jì)出一種新型結(jié)構(gòu)的硅高溫壓力傳感器，并對(duì)其高溫特性進(jìn)行測(cè)量.這種高溫壓力傳感器就是SOI型壓力傳感器.SOI型壓力傳感器采用SiO<,2>作為隔離介質(zhì)，利用SiO<,2>薄膜的隔離作用，將P型電阻條與N型襯底隔離開來，這就取消了PN結(jié).美國(guó)KULITE公司利用此法制作的應(yīng)變片使用溫度到450℃.與PN結(jié)型的壓力傳感器比較起來，它們的線性值幾乎一樣，雖然在漂移電壓的溫度特性
2、方面，SOI型壓力傳感器比較大，但是當(dāng)溫度高于150℃時(shí)，SOI型由于避免了一般PN結(jié)型壓力傳感器的PN結(jié)隔離，其漂移電壓的變化量與150℃以下時(shí)幾乎相等;當(dāng)溫度達(dá)到350℃甚至更高一些時(shí)，SOI型壓力傳感器仍能正常工作，其溫度特性、時(shí)漂特性等仍符合要求.在SOI型高溫壓力傳感器的設(shè)計(jì)和專題實(shí)驗(yàn)的過程中，同時(shí)發(fā)現(xiàn)了一種僅僅利用PN結(jié)和槽的隔離就能起到提高工作溫度的新型結(jié)構(gòu)，它不僅工藝簡(jiǎn)單，而且其工作溫度也已經(jīng)達(dá)到可以與SOI型高溫壓力傳
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