SOI PMOS器件在總劑量輻照下的特性退化與物理機(jī)理研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在傳統(tǒng)體硅技術(shù)中，隨著器件特征尺寸的減小，器件內(nèi)部以及器件之間通過(guò)襯底的相互作用變得越來(lái)越嚴(yán)重，隨之產(chǎn)生的一些寄生效應(yīng)嚴(yán)重地影響了器件的性能。絕緣體上的硅（SOI: Silicon-on-Insulator）技術(shù)通過(guò)全介質(zhì)隔離具有許多體硅材料無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，這使其廣泛地應(yīng)用于空間、軍事等領(lǐng)域。本文對(duì)SOI器件的總劑量輻射效應(yīng)進(jìn)行了研究，得到了SOI器件輻照的物理模型。
　　本文首先介紹了SOI器件的基本特性，并分析了SOI器件受到

2、輻照之后特性退化的基本物理機(jī)制。其次，本文對(duì)幾組0.8m工藝的SOI PMOS器件用60Co射線(xiàn)源進(jìn)行總劑量輻照實(shí)驗(yàn)，得到了器件輻照前后的前柵、背柵閾值電壓曲線(xiàn)以及亞閾值曲線(xiàn)。通過(guò)對(duì)不同柵氧化層厚度以及溝道長(zhǎng)度器件的特性的比較，得到了SOI器件總劑量輻照特性的物理模型。輻照后特性的退化趨勢(shì)受器件柵氧化層厚度及溝道長(zhǎng)度的影響與這些物理模型取得了很好的吻合。最后，通過(guò)ISE TCAD軟件模擬按照實(shí)驗(yàn)樣品的參數(shù)進(jìn)行模型的建立，并進(jìn)行總劑量輻射

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