功率SOI-LDMOS器件自熱特性研究.pdf

1、隨著集成電路工藝尺寸的不斷縮小以及集成度的日益提高，功率密度不斷增大，半導體器件的自熱問題已成為目前最受矚目的，且極富挑戰(zhàn)性的研究領域之一。特別是絕緣體上硅(SOI，Silicon onInsulator)工藝的問世，其特有的絕緣埋層結構直接阻礙了熱量的傳播，使得自熱效應(SHE，Self-heating Effects)進一步加劇，嚴重影響了功率器件的可靠性和使用壽命。
　　論文旨在詳細研究功率SOI-LDMOS器件的自熱特性。

2、首先詳細分析了功率SOI-LDMOS器件內(nèi)部熱產(chǎn)生與傳導的微觀物理機制，模擬分析了其熱產(chǎn)生與傳導的二維分布特性，結果顯示在SOI-LDMOS器件中焦耳熱所占比重最大，主要集中在漂移區(qū)附近，而湯姆遜熱則主要集中在漏端緩沖層，復合熱可以忽略不記，器件最終熱特性分布主要由焦耳熱決定；其次，重點研究了功率SOI-LDMOS器件在瞬態(tài)條件下，柵脈沖上升沿時間、幅度、維持時間以及占空比因素對其瞬態(tài)自熱響應的影響，模擬結果表明上升沿時間對自熱特性影響