存儲(chǔ)器輻照總劑量試驗(yàn)方法研究.pdf

1、存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星、航天等具有輻照性的領(lǐng)域。研究表明,輻照后存儲(chǔ)器參數(shù)退化是該類(lèi)器件穩(wěn)定性降低的主要因素之一,因此迫切需要提出一套科學(xué)合理的輻照總劑量試驗(yàn)方法,對(duì)存儲(chǔ)器輻照損傷效應(yīng)進(jìn)行研究。
　　 本文首先介紹研究背景、研究現(xiàn)狀、需要解決的問(wèn)題。其次,從MOS器件中最常用的SiO2介質(zhì)材料出發(fā),研究了SiO2介質(zhì)材料的輻照損傷效應(yīng)和機(jī)理。從MOS管的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用出發(fā),研究了輻照在MOS電路中引起的缺陷和對(duì)MOS電路表面物理特性的

2、影響,探討了MOS器件輻照電參數(shù)的退化和輻射損傷的微觀機(jī)理。第三,通過(guò)深入調(diào)研和分析國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)器總劑量輻照試驗(yàn)的研究成果,獲取第一手試驗(yàn)數(shù)據(jù),從中確定存儲(chǔ)器工作模式、試驗(yàn)中測(cè)試參數(shù)、不同劑量率輻照等試驗(yàn)條件的規(guī)律,同時(shí)結(jié)合對(duì)存儲(chǔ)器工藝技術(shù)、類(lèi)型和工作模式機(jī)理的分析,總結(jié)出各種工作模式,不同劑量率輻照對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響、高溫退火對(duì)總劑量效應(yīng)試驗(yàn)的影響。第四,通過(guò)設(shè)計(jì)輻照試驗(yàn),對(duì)存儲(chǔ)器按設(shè)計(jì)好的試驗(yàn)程序進(jìn)行輻照,驗(yàn)證高溫加速退火試驗(yàn)程序?qū)Ψ€(wěn)態(tài)