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文檔簡介
1、隨著無鉛表面貼裝(SurfaceMountReflow,SMT)工藝的實施以及球柵陣列(BallGridArray,BGA)封裝尺寸的逐步小型化,SMT工藝中產(chǎn)生的回流翹曲變形對于互連性能或質(zhì)量表現(xiàn)出更大的影響。近年來,雖然JEDEC規(guī)范對于回流翹曲的測量及BGA器件的相關要求都已制定標準,然而考慮因素有限,使得在不同SMT工藝或封裝設計條件下回流翹曲所引發(fā)的風險仍無法被準確預知。
因而本論文在JEDEC標準基礎之上,首先針對
2、IntelI3、I5、I7三種系列的不同尺寸及結構的球柵陣列(FlipChipBallGridArray,FCBGA),通過陰影云紋(shadowmoiré)實驗得出尺寸相關因素對于芯片翹曲變形的影響,并通過ANSYS12.0建立并修正得與實驗結果趨勢一致的有限元模型。之后針對相同種類的I5FCBGA,研究并總結出不同升溫速率條件下其變形行為及規(guī)律,同時在有限元模擬過程中進一步明確了所建立模型的適用性及局限性。
最后本論文針對
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