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文檔簡介
1、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種新型的半導體激光器，與傳統(tǒng)的邊發(fā)射激光器相比這種激光器具有諸多優(yōu)點。傳統(tǒng)的VCSEL一般是P面出光，由于P面材料空穴有效質(zhì)量大而產(chǎn)生了大量的焦耳熱。影響了器件的性能。
針對這一問題我們設(shè)計制備了N面出光倒裝貼片的980nmVCSEL器件，著重工藝的研究，主要包括：
(1)提出了一種新型輻射橋結(jié)構(gòu)電極的氧化物限制窗口，并為此設(shè)計了光刻版。
(2)刻蝕工藝中通過對比實驗確定
2、了腐蝕液為H3P4：H2O2：H2O=1:1:10的磷酸溶液，在0℃時平均腐蝕速率為0.14μm/min。
(3)氧化工藝中通過對溫度與時間的漸變控制解決了芯片開裂的問題。
最后對器件做了性能參數(shù)的測試，器件在室溫下(22℃)工作的閾值電流為400mA，器件在30℃時的閾值電流最低，約為370mA；器件的峰值波長為983.42nm，半峰寬度為0.92nm。當注入電流為1.8A時器件達到了峰值功率730mW。光電轉(zhuǎn)換效
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