硅基薄膜太陽能電池材料的制備與性能研究.pdf

1、非晶硅、多晶硅太陽能電池具有很高的性比價優(yōu)勢。本論文通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)，用磁控濺射技術(shù)制備硅薄膜，以期能夠得到高質(zhì)量的器件級硅薄膜材料。磁控濺射技術(shù)是一種簡單、低溫、快速的生長薄膜的方法，能夠在不使用有毒氣體和可燃性氣體的情況下進行摻雜和沉積薄膜，用摻雜靶材直接用濺射法沉積成膜，這一方法節(jié)能、高效、環(huán)保。磁控濺射法與其它技術(shù)相比，它的最大優(yōu)勢在于薄膜的沉積速率快，成膜效率和經(jīng)濟效益太陽能電池行業(yè)是近些年發(fā)展的極其火熱的一個朝陽產(chǎn)

2、業(yè)。在硅系太陽能電池中，非常誘人，該技術(shù)有希望大幅度降低太陽能電池的成本。
　　隨著第三代太陽能電池，即薄膜太陽能電池研究的不斷深入，制備高質(zhì)量的多晶硅薄膜是提高多晶硅薄膜太陽能電池的光伏轉(zhuǎn)換效率，這是從本質(zhì)上解決問題的一個途徑。本論文對高質(zhì)量的多晶硅薄膜的制備方面做了一些探索性的工作，采用金屬鋁誘導的方法成功制備了質(zhì)量較高的多晶硅薄膜。首先用射頻磁控濺技術(shù)在玻璃襯底上沉積非晶硅薄膜和鋁薄膜，然后在Ar氣氛中對樣品進行退火處理，最