AlGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器的設(shè)計與研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、天津大學(xué)碩士學(xué)位論文AlGaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器的設(shè)計與研制姓名：邵會民申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：毛陸虹201112ABSTRACTAtpresent，AIGaNbasedultravioletphotodetectors(PDs)havereceivedmuchattentionfortheirimportanceintherangeofultravioletwavelengthBecauseofthe

2、immunityfrominterferenceofvisiblelight，solarblindPDsisusedforawiderangeofmilitaryandcommercialapplications，suchasthemissileguidanceandwarning，ultravioletcommunicationandbiochemistryanalysis，biologyandmedicineanalysis，etc

3、Asthethirdgenerationsemiconductormaterialofadirectbandgap，GaNbandgapis34eVattheroomtemperatureWiththevariationofA1composition，bandgapofternaryalloyA1GaNcanbechangefrom34eVto62eVcontinuouslyThisrangewhichisabsorbedbyozone

4、layeroftheEarthcoversthemainwindowof200nm——280ntoBecauseofintrinsicadvantagesofMSMstructure，suchasplanarstructure，simplepreparation，withoutmakingapnjunction，avoidingsanleissuessuchasdopingandohmiccontact，easytoobtainhigh

5、quantumefficiencyhighresponsiveness，easeofmonolithicoptoelectronicintegration，etc，MSMstructurebecomewidelyacceptedWehavedesigned，fabricated，andcharacterizedofA1GaNbasedMSMu!travioletPDsneresponsivitycurvesshowthatthecut—

6、offwavelengthof276nm，indicatingthePDshaveagoodsolarblindcharacteristicTheultraviolet|visiblerejectionisabout3ordersofmagnitudeat4VbiasThedarkcurrentwasaboutlnAat15VbiasandaboutlUAat53VbiasWeanalyzedthetestresultswhenthet

7、estwascompletedOurworkwill：notonlyprovidessomeguidesandreferencesforthefabricationA1GaNbasedMSMultravioletPDswithgoodperformence，butalsoprovidessignificantguidinginresearchofmonolithicintegrationonUVfocalplanearrayofAlGa

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