GaN材料及MSM結(jié)構(gòu)紫外光電探測(cè)器的研究與制備.pdf_第1頁
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1、GaN是最有前景的直接躍遷寬帶隙半導(dǎo)體材料之一,它具有優(yōu)良的光電性質(zhì)和優(yōu)異的機(jī)械性能,被認(rèn)為是制備短波長(zhǎng)光電子器件的最佳材料之一.紫外光電探測(cè)器可用于科研、軍事、太空、環(huán)保和其它許多工業(yè)領(lǐng)域中.而金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)構(gòu)的器件因其平面型,工藝簡(jiǎn)單,便于集成等優(yōu)點(diǎn)倍受人們的青睞.因此,近年來,用GaN材料制備的MSM光電探測(cè)器是人們研究的熱門課題之一.該文依據(jù)MSM結(jié)構(gòu)探測(cè)器的工作原理,設(shè)計(jì)了器件的結(jié)構(gòu)參數(shù),井分別以藍(lán)寶石和GaA

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