應(yīng)用于TSV互連的電鍍填充工藝研究.pdf

1、為了降低特征尺寸、解決互連延遲等問題，三維集成技術(shù)開始成為封裝領(lǐng)域的研究熱點，其中TSV技術(shù)是其中的主流，也被譽為第四代封裝技術(shù)。在TSV技術(shù)中，硅孔的填充質(zhì)量將直接影響到三維封裝芯片的性能。本文從TSV電鍍技術(shù)入手，闡述了電鍍工藝以及電鍍生長機理，探究了不同的工藝參數(shù)以及鍍液工況對盲孔保形電鍍的影響，并提出了一種新型的自底向上電鍍工藝，實現(xiàn)了硅盲孔中自底向上生長和無孔隙填充。本文主要研究內(nèi)容如下：
　　（1）分析了盲孔保形電鍍技

2、術(shù)，并對比了三種潤濕方式對電鍍質(zhì)量的影響，同時研究了電鍍液工況對電鍍質(zhì)量的影響。進而掌握缺陷產(chǎn)生的機理，優(yōu)化電鍍工藝參數(shù)、改進盲孔保形電鍍效果。
　?。?）研究了盲孔保形電鍍在不同時段下盲孔內(nèi)部的填充效果，從而確定其生長機理。同時，對比了不同電流密度時，盲孔電鍍效果的差異性。電流密度的增加，可以加快金屬沉積速率、降低電鍍工藝時間，但也容易產(chǎn)生缺陷、加厚表面過鍍層。
　　（3）提出了以阻擋層金屬作為導(dǎo)電介質(zhì)來進行電鍍實驗的工藝