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文檔簡介
1、該文運用程序升溫法在不同反應(yīng)條件下制備γ-Mo<,2>N并用XRD對樣品進(jìn)行表征.XRD表明由于合成條件不同γ-Mo<,2>N晶體顆粒大小各不相同.程序升溫反應(yīng)時,氨氣流量和升溫速率是關(guān)鍵,不同的升溫速率和氨氣流量可制備出不同比表面的晶體.所制備電極用循環(huán)伏安法測試表明該電極具有典型的電容行為,其陰陽極電流響應(yīng)呈鏡像分布.在-0.1～0.6V范圍內(nèi)γ-Mo<,2>N電極電化學(xué)性能穩(wěn)定、而在0.6V以上或-0.lV以下時發(fā)生不可逆氧化還原
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