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1、要實(shí)現(xiàn)銅在芯片上微米或亞微米級(jí)刻槽中的超等角電沉積填充,采用的酸性硫酸銅鍍液電解液中添加劑是必不可少的,其中3-(二乙基氨基)-7-[[4-(二甲基氨基)苯基]偶氮]-5-苯基吩嗪翁氯化物(JGB)、聚乙二醇(PEG)以及氯離子(Clˉ)是常用的添加劑組合,但是它們對(duì)Cu的電沉積和電結(jié)晶過(guò)程還理解不完全。本論文采用循環(huán)伏安法(CV)、線性電位掃描法(LSV)、Tafel極化曲線和計(jì)時(shí)安培法(CA)研究了在CuSO4-H2SO4體系中,添
2、加劑JGB、PEG、Clˉ及其協(xié)同作用對(duì)銅在玻碳電極(GCE)上的電沉積以及電結(jié)晶過(guò)程的影響。
CV和LSV研究結(jié)果一致表明:JGB阻化銅電沉積,并且其阻化作用隨著JGB濃度的增加而增強(qiáng);同時(shí)添加JGB和Cl-(JGB-Cl-)、JBG和PEG(JGB-PEG)、JGB、PEG和Cl-(JGB-PEG-Cl-),對(duì)銅電沉積的抑制作用增強(qiáng);Tafel極化曲線從動(dòng)力學(xué)角度解釋了它們對(duì)銅沉積具有阻化作用的原因。
CA研究結(jié)
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