版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、近年來(lái),有機(jī)半導(dǎo)體的研究和應(yīng)用得到了飛速的發(fā)展,形成了跨物理學(xué)、化學(xué)、電子學(xué)和材料學(xué)等多學(xué)科的研究領(lǐng)域,在光電子、微電子、太陽(yáng)電池、通信等各方面引起了廣泛地關(guān)注。據(jù)研究表明,有機(jī)薄膜的結(jié)構(gòu)、厚度及膜層之間相互作用等是影響器件性能的重要因素。因此,本文基于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管法和差分反射光譜理論提出了在線光電測(cè)試的基本方法,搭建了原位實(shí)時(shí)光電測(cè)試系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)有機(jī)薄膜在生長(zhǎng)過(guò)程中的原位實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),進(jìn)而研究有機(jī)薄膜的光譜信息、電學(xué)特性與薄膜結(jié)構(gòu)之間的互相
2、對(duì)應(yīng)關(guān)系。既有助于對(duì)導(dǎo)電層形成過(guò)程的理解,也有助于原位監(jiān)測(cè)有機(jī)器件的制備過(guò)程。本文的主要工作內(nèi)容如下:
1、針對(duì)原位實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)情況的需求,提出了差分反射光譜法與場(chǎng)效應(yīng)晶體管法結(jié)合的在線光電測(cè)量方法,設(shè)計(jì)搭建了原位實(shí)時(shí)光電測(cè)試系統(tǒng)。設(shè)計(jì)了LabView軟件控制程序,實(shí)現(xiàn)了在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中對(duì)其光電信號(hào)的原位實(shí)時(shí)測(cè)量、采集和存儲(chǔ)。
2、以底柵底接觸式為基礎(chǔ),設(shè)計(jì)新的梳齒狀樣品結(jié)構(gòu)及電學(xué)夾持裝置。以五苯分子為
3、有源層材料,采用分子束外延方法真空蒸鍍有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)管。
3、優(yōu)化在線電學(xué)測(cè)試系統(tǒng),并對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行性能測(cè)試,測(cè)量偏差的相對(duì)百分比在±0.3%之內(nèi),滿足實(shí)驗(yàn)要求。驗(yàn)證了真空環(huán)境下在線電學(xué)測(cè)試的可行性,實(shí)現(xiàn)了有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)管的在線電學(xué)測(cè)試,并分別測(cè)量不同溝道長(zhǎng)寬比和不同厚度半導(dǎo)體層的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的電學(xué)特性,對(duì)比分析器件的性能差異。
4、分析了薄膜在生長(zhǎng)全過(guò)程中的DRS譜圖,可發(fā)現(xiàn)并五苯以薄膜態(tài)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行生長(zhǎng),所得實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜器件中的電荷輸運(yùn)研究.pdf
- 適用于多層膜高頻SAW器件的AlN薄膜制備與表征.pdf
- 幾種有機(jī)半導(dǎo)體薄膜及單晶器件的探索與研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件缺陷定位技術(shù)研究.pdf
- 適用于高頻SAW器件高品質(zhì)AIN薄膜研究與表征.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體RUBRENE薄膜的制備和物理特性研究.pdf
- 利用原位光致發(fā)光測(cè)量研究有機(jī)半導(dǎo)體中的激子過(guò)程.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體器件電容性質(zhì)的研究.pdf
- 有機(jī)含能薄膜半導(dǎo)體橋的制備及性能研究.pdf
- 適用于高頻SAW器件的h-BN-diamond多層膜結(jié)構(gòu)薄膜的制備與研究.pdf
- 半導(dǎo)體器件數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)研究.pdf
- 有機(jī)小分子半導(dǎo)體薄膜的制備與光電性質(zhì).pdf
- 適用于半導(dǎo)體封裝應(yīng)用的平面并聯(lián)機(jī)構(gòu)的幾何設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 有機(jī)電致發(fā)光器件中有機(jī)薄膜的LB法制備技術(shù)研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)及其性質(zhì)研究.pdf
- 寬禁帶半導(dǎo)體器件的研制及其測(cè)量技術(shù).pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體MOS器件性質(zhì)與模型的研究.pdf
- 石墨烯基導(dǎo)電薄膜及其有機(jī)半導(dǎo)體二極管器件的制備與性能研究.pdf
- 有機(jī)半導(dǎo)體器件中的磁場(chǎng)效應(yīng)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論