RF-MEMS結(jié)構(gòu)的封裝和匹配的研究.pdf

1、本論文主要目標(biāo)是能夠?qū)ぷ髟诤撩撞ǘ我訰F-MEMS開關(guān)為代表的RF-MEMS結(jié)構(gòu)進(jìn)行封裝，同時(shí)在封裝完成之后能夠方便地進(jìn)行測(cè)試，希望封裝后系統(tǒng)的射頻傳輸性能與封裝前相比，比較接近或者下降得不是很明顯。
　　本論文先行采用CPW代替并聯(lián)電容式RF-MEMS開關(guān)進(jìn)行研究。首先用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量CPW裸片的射頻性能，隨后用JW08F006型金屬管殼對(duì)其進(jìn)行封裝。為了能夠方便地連接網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)封裝管殼進(jìn)行測(cè)試，設(shè)計(jì)并制作了一個(gè)測(cè)試模塊進(jìn)行

2、轉(zhuǎn)接。
　　在測(cè)試模塊設(shè)計(jì)制作完畢之后，將封裝管殼和測(cè)試模塊組裝在一起，然后對(duì)其進(jìn)行射頻傳輸性能測(cè)試，將結(jié)果與CPW裸片的射頻傳輸性能進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)下降很多，說(shuō)明封裝過(guò)程中很多地方出現(xiàn)了不連續(xù)性，于是研究封裝測(cè)試模塊中每個(gè)部位對(duì)于射頻傳輸性能的影響。首先是傳輸線，通過(guò)HFSS仿真研究了微帶線和同軸線傳輸微波信號(hào)的能力，微帶線包括封裝管殼內(nèi)部的硅微帶線和封裝管殼外部的PCB微帶線。其次是腔體對(duì)于射頻傳輸性能的影響，經(jīng)過(guò)公式推算，當(dāng)封

3、裝管殼的寬度小于3.75mm時(shí)，它就不會(huì)起到傳輸作用。隨后研究了系統(tǒng)中的連接方式焊錫和引線鍵合對(duì)射頻傳輸性能的影響，焊錫比引線鍵合能夠更好地傳輸微波信號(hào)。因此在后續(xù)的研究中，同軸線引線和硅微帶線之間使用焊錫進(jìn)行連接，硅微帶線和CPW導(dǎo)線之間使用三根并排的金絲鍵合線進(jìn)行連接，其拱高越低越好，其跨度越短越好。
　　在分析了封裝測(cè)試模塊中各個(gè)部分對(duì)射頻傳輸性能的影響之后，研究通過(guò)阻抗匹配使得射頻傳輸性能得到提升，在管殼、接口、連接方式等