一種高抗輻射SOI CMOS電脈沖時(shí)間間隔測(cè)定電路的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、90年代以來(lái)，隨著我國(guó)宇航事業(yè)的高速發(fā)展，人們對(duì)測(cè)距儀的核心部件——電脈沖時(shí)間間隔測(cè)定器的要求越來(lái)越高。傳統(tǒng)的體硅CMOS工藝制造的測(cè)距儀由于體硅材料和器件結(jié)構(gòu)的限制，無(wú)法工作在惡劣的環(huán)境下，空間的輻射、溫度的升高等都會(huì)導(dǎo)致器件和電路的性能急劇惡化，測(cè)量精度和工作速度下降，不能滿足宇航事業(yè)的要求。為了使器件能在惡劣的條件下仍能正常工作。SOI技術(shù)以其獨(dú)特的材料結(jié)構(gòu)有效地克服了體硅材料的不足，它具有無(wú)閉鎖效應(yīng)；漏源寄生電容??；較高的跨導(dǎo)和

2、電流驅(qū)動(dòng)能力；器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；器件之間距離??；集成度高；抗輻射性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。本文采用了SOI(Silicon-on-Insulator)技術(shù)進(jìn)行該集成電路的制作。首先，利用SPICE軟件和BSIM3SOI器件模型對(duì)SOIMOSFET器件進(jìn)行了模擬，分析了SOIMOSFET器件的特性和這些特性對(duì)電路的影響，為SOI電脈沖時(shí)間間隔測(cè)定器制作中基本器件——SOIMOSFET提供了設(shè)計(jì)依據(jù)。其次，在闡述電路工作原理的基礎(chǔ)上，本文重點(diǎn)進(jìn)行了抗輻射

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