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文檔簡介
1、該文利用SIVACO的工藝和器件模擬軟件,對SOI SiGe HDTMOS作了完整的理論研究.首先,分析了DTMOS的工作原理,介紹了DTMOS的靜態(tài)、動態(tài)和功耗模型.而后,深入探討SiGe層的引入對P管的性能的提高,表明驅(qū)動電流提高了一倍以上,隨后闡述了重要參數(shù)的變化規(guī)律;研究指出,SiGe層對N管的影響近可忽略.綜合此二點,通過改造DTMOS模型,得到了SOI SiGe HDTMOS的普遍模型.最后,借所得的模擬結(jié)果的分析,首次提出
2、了SOI SiGe HDTMOS的準(zhǔn)雙柵近似,從而給出了相應(yīng)的I-V方程,其結(jié)果與模擬結(jié)果相一致 .為了驗證SOI SiGe HDTMOS在電路上的優(yōu)異性能,我們選擇了兩個典型的電路:環(huán)形振蕩器和傳輸門邏輯.SPICE模擬結(jié)果表明,振蕩器的頻率提高了30﹪以上,邏輯傳輸延遲縮小了近50﹪.該文利用SIVACO的模擬結(jié)果,優(yōu)化了器件的關(guān)鍵工藝參數(shù),改進了器件和電路的光刻版圖.利用UHV/CVD鍺硅外延工藝和CMOS流水工藝在SOI襯底上制
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