SOI-SiGe-BiCMOS的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該論文對SOI（Silicon on Insulator）應變SiGe溝道BiCMOS器件及應用電路進行了模擬和實驗研究.SOI部分耗盡MOSFET相對于體硅MOSFET而言,具有許多優(yōu)點：源漏結(jié)寄生電容小、工作速度快、功耗低、短溝道特性好、工藝簡單、消除了CMOS電路中的閂鎖效應.將SOI器件的襯底與柵極短接并加以合適的電壓能夠構(gòu)成雙極-MOS混合模式晶體管（BMHMT）,襯底電位的提高降低了器件的閾值電壓,橫向寄生晶體管（LBJT）

2、的導通引入了電流放大作用,從而進一步提高了器件的工作速度和驅(qū)動能力.在SiGe溝道p-MOSFET中,因為應變SiGe層中載流子的遷移率較高,并且由于應變SiGe合金的禁帶寬度小于Si的禁帶寬度,在SiGe層中將形成空穴陷阱,使得載流子受限于SiGe層中從而具有較高的遷移率.另外Si覆蓋層的存在使得SiGe層中的載流子免受Si/SiO<,2>界面的散射,所以SiGe溝道p-MOSFET的驅(qū)動能力比相應的體硅器件高.將以上三種技術相結(jié)合構(gòu)

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