版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、 本文圍繞SOI高壓器件的耐壓?jiǎn)栴},從理論模型和器件結(jié)構(gòu)兩方面展開創(chuàng)新研究。首次提出了兩項(xiàng)耐壓理論:S-RESURF(SingleREducedSURfaceField)高壓器件全域耐壓模型和D-RESURF(DoubleREducedSURfaceField)高壓器件統(tǒng)一耐壓模型,設(shè)計(jì)了兩種新結(jié)構(gòu)器件:埋氧層固定電荷結(jié)構(gòu)和局域電荷槽結(jié)構(gòu),并進(jìn)行了部分實(shí)驗(yàn)?! 身?xiàng)耐壓理論: 1)提出均勻、階梯和線性漂移區(qū)的SOIS-RESUR
2、F高壓器件全域耐壓模型,導(dǎo)出包含耗盡區(qū)電荷共享效應(yīng)與埋氧層電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)的SOIS-RESURF判據(jù)?! ?)提出均勻、階梯和線性摻雜SOID-RESURF高壓器件二維耐壓解析模型,構(gòu)成了系統(tǒng)的SOID-RESURF統(tǒng)一耐壓理論,并首次給出了普適于所有雙層漂移區(qū)器件的SOID-RESURF判據(jù)?! 蓚€(gè)新結(jié)構(gòu): 1)提出SOI的縱向耐壓新理論——INBOLF(INcreasedBuriedOxideLayerField)理論,及基
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SOI橫向高壓器件縱向耐壓理論與新結(jié)構(gòu).pdf
- 高壓SOI器件耐壓模型與槽型新結(jié)構(gòu).pdf
- 薄漂移區(qū)橫向高壓器件耐壓模型及新結(jié)構(gòu).pdf
- 基于介質(zhì)電場(chǎng)增強(qiáng)理論的SOI橫向高壓器件與耐壓模型.pdf
- 電荷型高壓SOI器件模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- SOI橫向超結(jié)器件耐壓理論研究.pdf
- 高壓低阻SOI橫向功率器件研究.pdf
- 高壓低導(dǎo)通電阻SOI器件模型與新結(jié)構(gòu).pdf
- 橫向高壓器件電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)及新器件研究.pdf
- SOI功率器件的新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 新型功率SOI橫向器件研究.pdf
- SOI橫向高壓低通態(tài)電阻MOS型器件研究.pdf
- 薄層SOI高壓LDMOS器件模型與特性研究.pdf
- 高壓SOI LDMOS器件新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及仿真研究.pdf
- 傾斜表面SOI橫向高壓器件的工藝與特性研究.pdf
- 橫向超結(jié)器件模型與新結(jié)構(gòu)研究.pdf
- 新結(jié)構(gòu)SOI材料與器件物理研究.pdf
- 新型SOI LDMOS高壓器件研究.pdf
- 一種超薄SOI橫向高壓器件的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 行掃描驅(qū)動(dòng)高壓SOI橫向功率器件與電路特性研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論