RTV涂層憎水性及對(duì)絕緣子電場(chǎng)和污閃特性影響的研究.pdf

1、憎水性是室溫硫化硅橡膠(Room Temperature Vulcanization，RTV)涂層的關(guān)鍵特性，RTV的憎水性將影響絕緣子的電場(chǎng)和污閃特性，需要深入研究。本文研究了RTV涂層憎水性檢測(cè)方法及在電暈作用下憎水性喪失和恢復(fù)規(guī)律，分析了不同憎水性情況下絕緣子的電場(chǎng)和污閃特性，主要的研究內(nèi)容和取得的成果如下：
　　 1、提出了基于動(dòng)態(tài)接觸角的硅橡膠憎水性檢測(cè)方法，該方法提高了浸泡和染污時(shí)憎水性檢測(cè)的準(zhǔn)確性。提出了基于水平集

2、的水珠邊緣檢測(cè)方法，有效提高了邊緣檢測(cè)的準(zhǔn)確性和抗干擾能力，基于圓和橢圓擬合算法提高了接觸角計(jì)算的準(zhǔn)確性，基于Matlab建立了硅橡膠憎水性的動(dòng)、靜態(tài)接觸角自動(dòng)計(jì)算系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了動(dòng)、靜態(tài)接觸角準(zhǔn)確、自動(dòng)計(jì)算，計(jì)算時(shí)間減少為原來的1/40，大大節(jié)省了工作量，保障了憎水性檢測(cè)的順利進(jìn)行。分析了水珠體積、水電導(dǎo)率、傾斜、環(huán)境溫度和拍照延遲時(shí)間對(duì)接觸角法測(cè)量結(jié)果的影響，分析結(jié)果有效提高了硅橡膠憎水性檢測(cè)的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。
　　 2、研究了

3、交流電暈對(duì)硅橡膠表面憎水性的影響規(guī)律，研究首次發(fā)現(xiàn)了交流電暈后是否釋放硅橡膠表面電荷將嚴(yán)重影響靜態(tài)接觸角的測(cè)量結(jié)果(誤差可達(dá)70°)，解釋了交流電暈使硅橡膠表面產(chǎn)生電荷的機(jī)理，為了提高了憎水性檢測(cè)的準(zhǔn)確性，采用了接地和注水方式釋放電荷。研究了硅橡膠類型、溫度、重復(fù)電暈對(duì)電暈時(shí)憎水性喪失和恢復(fù)的影響，研究了電暈對(duì)浸泡導(dǎo)致憎水性喪失和恢復(fù)的影響。研究表明：電暈時(shí)HTV憎水性喪失速度快于RTV，恢復(fù)速度慢于RTV。高溫電暈時(shí)憎水性喪失速度減慢

4、。隨重復(fù)電暈次數(shù)增加電暈時(shí)憎水性喪失速度變快，恢復(fù)速度變慢。恢復(fù)后的電暈對(duì)浸泡時(shí)憎水性喪失和恢復(fù)影響很小。
　　 3、研究了電場(chǎng)類型、遠(yuǎn)場(chǎng)和軸對(duì)稱方式對(duì)絕緣子電場(chǎng)有限元分析結(jié)果的影響，發(fā)現(xiàn)設(shè)置不正確可導(dǎo)致高達(dá)-66％的誤差，研究結(jié)果有效提高了基于有限元法的絕緣子電場(chǎng)分析的準(zhǔn)確性。研究了RTV涂層及厚度、電阻率和介電常數(shù)對(duì)絕緣子電場(chǎng)分布的影響，結(jié)果表明它們對(duì)場(chǎng)強(qiáng)分布的影響可忽略。研究了親水性時(shí)干帶及其位置、寬度、電阻率等對(duì)絕緣子電

5、場(chǎng)分布的影響，研究結(jié)果表明：柱體、傘裙上表面的干燥帶越窄沿面場(chǎng)強(qiáng)畸變?cè)絿?yán)重，隨傘裙下表面的干燥帶寬度增加沿面最大場(chǎng)強(qiáng)未必明顯下降，干帶位置對(duì)場(chǎng)強(qiáng)略有影響，隨干帶電阻率增加最大場(chǎng)強(qiáng)增大并趨于穩(wěn)定。研究了憎水性時(shí)分離水珠及其接觸角、水電導(dǎo)率、間距對(duì)電場(chǎng)分布的影響，結(jié)果表明：存在分離水珠后沿面場(chǎng)強(qiáng)變大，變化速度加快，隨水珠接觸角增加/間距減少沿面最大場(chǎng)強(qiáng)增大，水電導(dǎo)率對(duì)場(chǎng)強(qiáng)影響很小。
　　 4、研究了Obenaus交流污閃模型中Ham