基于光刻模型的OPC切分研究.pdf

1、隨著集成電路的工藝發(fā)展到超深亞微米階段，集成電路的復(fù)雜度越來(lái)越高，特征尺寸也變得越來(lái)越小，目前最先進(jìn)的工藝已經(jīng)達(dá)到了22nm。在光刻機(jī)使用的光源波長(zhǎng)（通常為193nm）遠(yuǎn)大于版圖上的特征尺寸時(shí)，在硅片上制造出的圖形會(huì)發(fā)生明顯的畸變。工業(yè)界使用各種分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhancement Technology, RET)來(lái)應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。光學(xué)鄰近校正技術(shù)(Optical Proximity Correction, OPC

2、)是一種在目前的集成電路芯片生產(chǎn)過(guò)程中被廣泛應(yīng)用，同時(shí)必不可少的技術(shù)。在光學(xué)鄰近校正的過(guò)程中，對(duì)集成電路版圖中多邊形采取的切分方案是光學(xué)鄰近校正技術(shù)應(yīng)用中的一個(gè)關(guān)鍵，它對(duì)光學(xué)鄰近校正的結(jié)果有直接而重大的影響。目前，光學(xué)鄰近校正配方中的切分方案都是經(jīng)驗(yàn)性質(zhì)的規(guī)則切分。然而這種切分方案在復(fù)雜的二維圖形環(huán)境中缺乏全局的適用性，而不完備的切分配方會(huì)導(dǎo)致各種制造缺陷。從而，工程師需要耗費(fèi)大量的時(shí)間調(diào)試配方，進(jìn)而影響產(chǎn)品的生產(chǎn)周期。
　　

3、本文研究并首次提出了一種基于光刻模型的切分算法：紋波抑制法。該算法直接以抑制當(dāng)前仿真圖像上出現(xiàn)的紋波起伏為目標(biāo)。首先利用光刻模型在指定位置上獲取的空間光強(qiáng)曲線，然后提取出該曲線上的極值點(diǎn)，進(jìn)而通過(guò)對(duì)每個(gè)極值點(diǎn)分配一定長(zhǎng)度的切分片段來(lái)獲得新的切分方案，之后再利用格點(diǎn)搜索或者最速下降算法確定算法中關(guān)鍵的參數(shù)。本文同時(shí)又研究了將基于光刻模型的切分算法結(jié)合到目前主流的光學(xué)鄰近校正流程的問(wèn)題，提出一種混合的切分方案。最后，通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了基于光刻模