Ge-SiO-,2-納米鑲嵌薄膜光電性質的模擬計算分析.pdf

1、本論文采用第一性原理分子動力學方法，使用Materals Studio程序中基于密度泛函理論(DFT)的CASTEP模塊，對Ge、含Ge雜質缺陷SiO2及Ge/SiO2納米鑲嵌材料的幾何結構、電子能帶和光學性質進行了系統(tǒng)的研究。
　　 對單晶Ge和基質材料SiO2晶體進行了計算，分析了得到的晶胞結構、能帶、能量態(tài)密度和光吸收譜。結果顯示，室溫下單晶Ge光吸收峰在5.0eV處，位于紫外區(qū)域，對可見區(qū)光吸收較弱：Ge為間接帶隙半導體

2、，帶隙約為0.677eV。SiO2的帶隙約為6.06eV，其導帶態(tài)密度較小，有兩個光吸收峰值，分別位于12.5eV和16.5eV處，對0eV～6.5eV能量范圍內的光幾乎沒有吸收?；|材料SiO2晶體與單晶Ge的計算結果，特別是優(yōu)化后的SiO2與Ge的晶格參數與實驗數據基本吻合，這說明本論文所采用的計算方法的可靠性較高。
　　 建立了SiO2中Ge雜質缺陷的結構模型，Ge原予以替位式雜質的形式存在于SiO2晶體中，摻雜摩爾比約為

3、2.08％。研究模擬計算所得到的幾何結構、能帶結構特征和光學吸收譜。分析表明，Ge雜質缺陷結構吸收譜向長波方向移動，光吸收強度相對于SiO2晶體有所減小，但吸收譜整體上變化不明顯。含雜質缺陷材料光折射率低于SiO2晶體；Ge原子在SiO2帶隙中引入了很淺的雜質能級，并使SiO2導帶向禁帶內延伸，這會提高SiO2的導電性。Ge-O鍵中的O原子的S軌道對這個雜質能級有重要影響。
　　 在方石英SiO2晶體中鑲嵌不同尺寸的納米Ge晶粒

4、，計算得到鑲嵌Ge3結構和鑲嵌的Ge5結構的禁帶寬度分別為4.1eV、2.7eV。結果顯示，對可見光區(qū)的吸收鑲嵌Ge3結構比鑲嵌Ge5結構強，Ge5結構相對于Ge3結構光吸收邊發(fā)生了藍移，這與量子限制模型中隨納米晶粒減小，光吸收邊藍移不同。Ge3和Ge5結構在SiO2帶隙深處費米能級以上約3.2eV處引入了中間能級，此能級與導帶底能級差約為1.9eV。結果說明，超精細納米Ge結構光學性質主要決定于晶粒界面的Ge-O鍵。實驗中觀察到的Ge

5、/SiO2材料中位于2.1eV的發(fā)光峰可能來自這種小尺寸Ge晶粒界面的Ge-O鍵。
　　 計算了SiO2晶體中鑲嵌不同尺寸納米晶Si結構，與納米Ge晶結構進行了比較討論。結果表明，Si晶結構中，量子限制效應是決定其光學性質的主要因素，而Ge晶結構中，量子限制效應不再是決定鑲嵌結構光學性質的主要因素。
　　 綜合對Ge、含Ge雜質缺陷SiO2及Ge/SiO2鑲嵌材料的計算結果分析，結合對已有Ge/SiO2鑲嵌材料的實驗分析