鐵電-AlGaN-GaN半導體異質薄膜的界面表征研究.pdf

1、界面是功能氧化物/半導體異質薄膜研究的重要內容。功能氧化物/半導體薄膜既具有以半導體載流子的場效應與輸運性質，又具有氧化物材料豐富的功能效應，如超導、鐵磁、鐵電、壓電、電光等。如何在功能氧化物/半導體異質界面上，將半導體的場效應與氧化物的功能效應相互集成，誘導出新現(xiàn)象和新效應，進而研制新型器件是當前材料和器件研究的熱點之一。盡管功能氧化物/半導體異質薄膜的制備技術在近幾年出現(xiàn)了顯著的進步，但是，由于理論和實驗手段的制約，尤其是界面表征手

2、段的缺乏，人們對功能氧化物/半導體界面有關物理性質和機制的認識還相當有限，阻礙了功能氧化物/半導體異質薄膜及其器件的進一步發(fā)展。
　　 本論文以典型的功能氧化物/半導體薄膜--鐵電/AlGaN/GaN異質薄膜的界面為主要研究對象，針對三種界面：AlGaN/GaN異質界面、鐵電/半導體異質界面和鐵電疇壁界面，分別研究界面二維電子氣(2DEG)、界面電荷陷阱態(tài)、極化反轉與疇壁界面運動的表征方法。并以此為基礎，研究這些界面特性與鐵電/

3、AlGaN/GaN半導體異質薄膜電性能之間的關系。
　　 首先，在納米尺度上對AlGaN/GaN異質界面2DEG進行了表征研究。采用極弱電容信號的鎖相放大技術，研制了微區(qū)電容測試系統(tǒng)，局域電容的分辨率達到10aF(10-18F)。通過有限元計算模擬，分析了探針針尖與界面2DEG電容與雜散電容的分布規(guī)律，發(fā)現(xiàn)降低雜散電容和控制針尖接觸半徑是準確檢測局域2DEG電容-電壓(C-V)特性的關鍵。提出“探針電流-半徑比例法”，實現(xiàn)了界面

4、局域2DEG濃度的定量檢測，測量結果與宏觀C-V測試結果具有可比性。利用該方法，發(fā)現(xiàn)2nm超薄介質緩沖層對AlGaN/GaN異質界面2DEG的C-V特性的影響起著決定性的作用。實驗結果表明，保證兼容性外延生長的條件下，MgO緩沖層比TiO2緩沖層更利于保持AlGaN/GaN異質界面2DEG的原有特性。
　　 其次，研究了界面電荷陷阱的表征以及電荷陷阱對鐵電/AlGaN/GaN異質薄膜電性能的影響。通過建立“鐵電/AlGaN”和“

5、AlGaN/GaN”界面陷阱態(tài)的等效電導模型，實現(xiàn)了鐵電/AlGaN/GaN異質薄膜界面電荷陷阱的定量表征。針對鈮酸鋰型和鈣鈦礦型兩類典型的鐵電/AlGaN/GaN異質薄膜，系統(tǒng)研究了鐵電層結構、緩沖層材料、復合緩沖層結構等對界面電荷陷阱密度和分布的影響。研究發(fā)現(xiàn)LiNbO3/AlGaN/GaN異質薄膜中存在界面陷阱態(tài)和體陷阱態(tài)。兩種陷阱態(tài)具有不同的時間常數，其中，界面陷阱態(tài)是影響二維電子氣C-V回滯特性的主導因素，而體陷阱態(tài)是決定異質

6、薄膜漏電機制的主要原因。與鈮酸鋰型結構相比，鈣鈦礦型鐵電/AlGaN/GaN結構的界面陷阱態(tài)密度較之高出一到兩個數量級。采用TiO2/MgO復合緩沖層，可以將無緩沖層的PZT/AlGaN/GaN界面陷阱密度降低一個數量級，達到1011cm.2eV-1，同時顯著改善異質結器件的漏電特性。通過降低界面陷阱態(tài)和注入電荷，減小了界面電荷對鐵電極化的屏蔽作用，改善了鐵電極化反轉對2DEG的調制作用。
　　 最后，對鐵電極化反轉特性和電疇的

7、運動特性進行了表征研究。通過建立電極式PFM表征方法，實現(xiàn)了反轉過程中電疇演變的監(jiān)測和局域壓電響應回線的測量，解決了宏觀極化電滯回線測量無法表征鐵電/半導體結構的問題。采用這種方法，對比研究了STO基和GaN基鐵電薄膜極化反轉過程中疇壁界面運動特性。發(fā)現(xiàn)PZT/SrRuO3/TiO2/GaN外延薄膜的極化反轉以微區(qū)（約1μm）到微區(qū)的“成核-融合”方式進行，而且不同微區(qū)間新疇的成核特征時間和疇壁的運動速度呈彌散分布。這為解釋GaN基鐵電