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文檔簡介
1、 本文圍繞著新型光磁混合記錄介質(zhì)的研制與開發(fā)，在SmTbCo系薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、物理特性及其相關(guān)機(jī)理等問題方面，從實(shí)驗(yàn)和理論方面進(jìn)行了深入、系統(tǒng)的研究。 理論上，一方面利用單離子模型和磁偶極模型分析了稀土——過渡金屬非晶磁化膜垂直磁各向異性的來源。另一方面，圍繞著光磁混合記錄介質(zhì)需要具有大的飽和磁化強(qiáng)度，研究了稀土——過渡金屬非晶磁化膜內(nèi)原子之間的交換耦合相互作用，采用輕元素Sm置換重稀土元素Tb的方式得到了磁性能優(yōu)良的SmTbCo
2、/Cr非晶垂直磁化薄膜。理論上還研究了稀土——過渡金屬交換耦合雙層膜界面磁疇的形成條件，以及外場作用下交換耦合雙層膜的磁化轉(zhuǎn)變過程，并通過SmTbCo交換耦合雙層膜界面疇壁能的計(jì)算，研究了其層間交換耦合作用情況。 實(shí)驗(yàn)上，圍繞著光磁混合記錄介質(zhì)需要具有高的矯頑力，以提高介質(zhì)記錄面密度的問題，采用控制變量法，研究了制膜工藝參數(shù)對TbCo薄膜矯頑力的影響，得到了TbCo薄膜獲得高矯頑力的最佳制膜工藝條件。為了提高薄膜的垂直磁各向異性能，
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