Ge摻雜ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光特性的研究.pdf

1、ZnO薄膜是一種直接寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有多種用途，可廣泛的應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、壓電薄膜、光電器件、氣敏器件和紫外探測(cè)器等方面。其特性可通過(guò)適當(dāng)?shù)膿诫s來(lái)調(diào)劑。為了研究Ge摻雜對(duì)ZnO薄膜發(fā)光特性的影響，本文采用交替濺射和共濺射兩種方法制備了Ge摻雜ZnO薄膜，分別對(duì)它們的結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了研究?！　∫?使用交替濺射的方法制備了Ge-ZnO薄膜，研究了不同沉積功率、襯底對(duì)薄膜沉積速率的影響及退火溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光譜的影響。隨退

2、火溫度的升高，ZnO(002)衍射峰增強(qiáng)，表明薄膜的結(jié)晶度提高。樣品在800℃和1000℃退火后，在XRD譜中，出現(xiàn)了GeO和GeO2衍射峰。同時(shí)，在其光致發(fā)光譜中，出現(xiàn)了強(qiáng)的近紫外峰發(fā)射(395nm)及弱的黃峰發(fā)射(590nm)。395nm處的近紫外峰可能同GeO顏色中心及激子的復(fù)合相關(guān)，黃峰可能同Ge的摻入有關(guān)?！　《?使用共濺射方法制備了Ge-ZnO薄膜，研究了不同Ge摻入量及退火溫度對(duì)薄膜光致發(fā)光譜的影響，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明適當(dāng)?shù)腉