ZnO薄膜結構特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文的ZnO薄膜樣品是采用電子束反應蒸鍍的方法,在單晶Si(001)及玻璃襯底上低溫外延生長了沿c軸高度取向的單晶ZnO薄膜.該文從三個方面入手分析研究了薄膜生長條件(不同的襯底、不同的生長溫度)對ZnO薄膜的結構特性的影響,并作了相應的比較.通過對ZnO薄膜的X射線衍射(XRD)光譜分析、采用原子力顯微鏡(AFM)對ZnO薄膜的原子力顯微結構以及對ZnO薄膜的喇曼(Raman)散射光譜的分析比較,研究了不同襯底材料的結構特性、不同的生

2、長溫度對ZnO薄膜的晶體結構特性的影響.結果表明,采用電子束反應蒸鍍法在較低溫度下在單晶Si(001)及玻璃襯底上外延生長的單晶ZnO薄膜,最佳生長溫度分別為200~300℃和300~350℃之間.在最佳生長溫度條件下,ZnO薄膜呈沿c軸高度取向,ZnO(002)晶面衍射射線寬僅為0.28°.ZnO薄膜的顯微結構顯示其表面非常平整,膜層致密性好,表面平均不平整度分別小于3nm(玻璃襯底)、2nm(Si(001)襯底).最后,從喇曼散射光

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