圓形靶磁控濺射均勻性控制及其對(duì)沉積薄膜質(zhì)量影響.pdf

1、本文采用圓形靶磁控濺射沉積鍍銅，研究了勵(lì)磁電流對(duì)磁控靶刻蝕軌跡以及勵(lì)磁電流與靶基距對(duì)鍍層分布均勻性的影響，并以此為依據(jù)設(shè)計(jì)了程控勵(lì)磁電源，利用計(jì)算機(jī)控制線圈中的濺射電流波形，目的是在保證鍍膜精度的前提下，提高靶材的利用率。
　　利用X射線衍射儀分析了磁控濺射沉積層的結(jié)構(gòu)；用掃描電子顯微鏡分析了沉積層的形貌，利用Nano Indenter XP型納米壓痕儀測(cè)量膜層厚度；通過輪廓儀進(jìn)行靶面刻蝕軌跡橫截面輪廓形貌的測(cè)量。勵(lì)磁電源的控制采

2、用VC++進(jìn)行編程。
　　研究結(jié)果表明：刻蝕軌跡截面深度隨濺射時(shí)間和勵(lì)磁電流增加而表現(xiàn)為線性增加；刻蝕軌跡截面寬度可視為一個(gè)由磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)決定的常數(shù)，而與濺射時(shí)間和勵(lì)磁電流無關(guān)；刻蝕軌跡中心位置隨勵(lì)磁電流的增加而變小。由以上結(jié)論擬合得到刻蝕軌跡截面形貌表達(dá)式，發(fā)現(xiàn)符合高斯函數(shù)形式；設(shè)計(jì)了三種非穩(wěn)恒勵(lì)磁電流形式，并分別模擬考察了三種勵(lì)磁電流下靶材的利用率，結(jié)果顯示，采用所設(shè)計(jì)的非穩(wěn)恒勵(lì)磁電流可以提高靶材的利用率。
　　根據(jù)以上結(jié)果