電參數對磁控濺射純Cr鍍層沉積過程的影響.pdf

1、本文采用閉合場非平衡磁控濺射離子鍍技術在不同的靶電壓、偏壓、占空比下制備了純Cr鍍層。通過原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射儀(XRD)分析了純Cr鍍層的微觀組織形貌和擇優(yōu)生長取向；采用四點探針測試儀測量了純Cr鍍層的方塊電阻；利用CH1660B電化學工作站(極化曲線)分析了純Cr鍍層耐腐蝕性能的變化。探討了電參數的變化對磁控濺射純Cr鍍層組織結構的影響機理。研究結果表明：隨著靶電壓的

2、增大,純Cr鍍層的厚度和沉積速率顯著增大。300V靶電壓下純Cr鍍層為嵌入有納米晶的非晶組織結構,400V和500V靶電壓下純Cr鍍層均為柱狀晶結構。純Cr鍍層的組織結構隨著偏壓值的增大由柱狀晶向細小、致密等軸晶轉變,同時鍍層晶體擇優(yōu)生長面由(200)晶面變?yōu)?110)晶面,耐腐蝕性能逐漸增強。隨著占空比的增大,純Cr鍍層的組織結構由柱狀晶向均勻、細小納米晶轉變,純Cr鍍層的厚度和沉積速率相應增大,同時純Cr鍍層沿(110)晶面的擇優(yōu)取