SiNx-H薄膜中原子鍵合對電池特性和鈍化效果的影響.pdf

1、PECVD沉積的SiN_x：H薄膜具有優(yōu)良的減反射作用和對材料的鈍化作用等優(yōu)點，這使其在太陽電池的大規(guī)模生產(chǎn)中得到了非常廣泛的應(yīng)用。在高效太陽能電池研究中，表面鈍化和減反射一直是其研究的主題。電池正面不僅要求表面鈍化層有優(yōu)良的鈍化性能，同時也要求介質(zhì)層能夠與表面層減反射膜一起產(chǎn)生很好的減反射效果，從而進(jìn)一步提高太陽電池器件的光生電流、開路電壓以及電池效率。本文研究了利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)制備的SiN_x：H薄膜的光學(xué)

2、特性、鈍化特性以及相關(guān)的原子鍵合濃度。實驗通過改變反應(yīng)氣體硅烷與總氣體流量的比例來控制折射率n的變化，基于橢偏儀和傅立葉變換近紅外光譜的測試結(jié)果，詳細(xì)分析了薄膜中N/Si原子比對反應(yīng)氣體流量的依賴關(guān)系，研究了薄膜內(nèi)Si-N、N-H和Si-H原子鍵合濃度的變化，以及退火對它們的影響。原子鍵合濃度的變化規(guī)律得到了詳細(xì)的論證。通過少子壽命的跟蹤測試，比較了樣品在沉積前、沉積后和高溫退火后的少子壽命平均數(shù)值的變化和分布區(qū)域的變化。然后通過原子鍵