SiNx-H薄膜的制備及研究.pdf

1、氮化硅薄膜具有良好的電介質(zhì)性能、突出的絕緣性以及抗氧化能力。隨著社會及技術(shù)的發(fā)展，氮化硅薄膜在微電子、太陽能電池行業(yè)、半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)用越來越廣泛。近幾年來，氮化硅薄膜作為太陽能電池的減反射層越來越受到關(guān)注。氮化硅薄膜不僅僅可以增加太陽能電池光的吸收能力，同時對硅襯底還有很好的鈍化效果，極大的提高了太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
　　 目前，制備氮化硅薄膜的方法越來越多，氮化硅薄膜最重要的制備方法有低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、高溫?zé)?/p>

2、化學(xué)氣相沉積(HTCVD)等，但這些方法沉積氮化硅薄膜都需要很高的溫度，存在耗能大、影響太陽能電池本身性能等缺點(diǎn)。而由等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF-PECVD)方法制備的氮化硅薄膜具有折射率可調(diào)、光學(xué)性能好、致密性及均勻性好、鈍化效果好、制備溫度低、易于大面積生產(chǎn)等特點(diǎn)。
　　 通過對沉積溫度、射頻功率、氣體流量比等沉積參數(shù)進(jìn)行對比，觀察其參數(shù)對氮化硅薄膜的折射率、反射率、化學(xué)鍵性質(zhì)的影響，調(diào)節(jié)參數(shù)變化，獲得了致密度高，表面形貌