GaN基光導(dǎo)器件的光電導(dǎo)研究及紫外薄膜材料均勻性測(cè)試系統(tǒng).pdf

1、本文著重圍繞氮化鎵基材料性能進(jìn)行了部分研究，制備了非故意摻雜的n型GaN光導(dǎo)探測(cè)器件，并對(duì)該器件進(jìn)行了一系列測(cè)試、分析。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)GaN的持續(xù)光電導(dǎo)與照射光強(qiáng)有著一定的關(guān)系，變化光強(qiáng)會(huì)引起光電導(dǎo)曲線的顯著變化，并且隨著光強(qiáng)的增大，光電流隨之增強(qiáng)。當(dāng)有長(zhǎng)波參與光照時(shí)，照射光由弱逐漸變強(qiáng)，所測(cè)的器件會(huì)由正常的光電導(dǎo)(PC)和持續(xù)光電導(dǎo)(PPC)響應(yīng)逐漸過(guò)渡到負(fù)光電導(dǎo)(NPC)和負(fù)持續(xù)光電導(dǎo)(NPPC)，并且光強(qiáng)越強(qiáng)，該現(xiàn)象就越明顯。分析認(rèn)為，

2、該現(xiàn)象是由于GaN作為一種直接寬帶隙材料，其禁帶中的電子陷阱與空穴陷阱對(duì)光生載流子俘獲和復(fù)合競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。 另外，利用對(duì)材料透射率面分布來(lái)評(píng)價(jià)材料均勻性的原理，自主研制了一套紫外薄膜材料均勻性測(cè)試系統(tǒng)。該系統(tǒng)由氙燈、單色儀、外光路、二維步進(jìn)掃描裝置、光電探測(cè)器、數(shù)據(jù)采集和記錄設(shè)備等部分組成，采用LabVIEW軟件編程，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的無(wú)損傷測(cè)試，并對(duì)材料的非均勻性給出定量的評(píng)價(jià)。利用均勻性測(cè)試系統(tǒng)對(duì)不同結(jié)構(gòu)和不同生長(zhǎng)條件的GaN基