2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、隨著超大規(guī)模集成電路的集成化程度不斷提高、元器件尺寸不斷縮小、工作頻率不斷增高和功耗不斷降低,要求元器件供電電源的電壓不斷地降低、工作電流卻不斷增大。MOSFET以其開關(guān)速度高,開關(guān)和驅(qū)動損耗低等特點(diǎn)在各種功率變換,特別是在高頻功率變換中扮演著重要角色,同時(shí)也對擊穿電壓低的MOS管提出了更高的要求。隨著橫向雙擴(kuò)散MOS晶體管(LDMOS)的逐漸發(fā)展,其耐壓高,熱穩(wěn)定性好,頻率穩(wěn)定,更高增益等性能日益突出,LDMOS成為高壓集成電路和功率

2、集成電路的關(guān)鍵技術(shù),已經(jīng)廣泛應(yīng)用在航空、航天、控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、武器系統(tǒng)等方面。
  本文在充分了解及分析國內(nèi)外功率器件靜電放電和電熱效應(yīng)方面研究現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,提出了基于LDMOS結(jié)構(gòu)的MOSFET器件的方案,在改進(jìn)型的LDMOS結(jié)構(gòu)上,增加了接觸溝道、隔離片,導(dǎo)電漏極帶等制作工藝,通過仿真模擬,在新方案中的LDMOS器件較好地解決了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中存在的提高器件的反向擊穿電壓會導(dǎo)致器件的導(dǎo)通電阻增加的矛盾,進(jìn)一步提高元器件的性能和功

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