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文檔簡介
1、該論文結(jié)合完成的超高亮度發(fā)光二極管半工業(yè)化實驗項目,提出了改進(jìn)的HB-LED器件結(jié)構(gòu),提高了LED亮度.采用p-N漸變異質(zhì)結(jié)替代現(xiàn)行的p-N突變異質(zhì)結(jié),不僅有效提高了發(fā)光亮度,而且改善了器件質(zhì)量.該文從理論上分析此結(jié)構(gòu)改進(jìn)的合理性和有效性,得到一系列地結(jié)論.并且用雙層突變擬合漸變方式進(jìn)行芯片生長,實驗結(jié)果符合理論分析.該文還針對高亮度發(fā)光二極管的器件結(jié)構(gòu)中重要的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(DH)和多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了系統(tǒng)的,深入的分析和研究.分
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