化學液相淀積法制備氧化鋁薄膜.pdf

1、無機氧化物薄膜在現代微電子學、固體電子學和光學工程中有廣泛的應用.氧化物薄膜的制備已經成為凝聚態(tài)物理學的一個研究熱點.傳統制備氧化物薄膜的方法包括熱氧化、化學汽相淀積、金屬有機物化學汽相淀積、溶膠凝膠法等等.但是,這些方法大多要求非常復雜的實驗設備,而且不容易操作.一種新的制備氧化物薄膜的方法——化學液相淀積(CLD)于1988年被Nagayama等人首次提出.它可以在更為簡單的實驗條件下制備氧化物薄膜,因此引起了人們的極大興趣.但是,

2、在全球范圍內,化學液相淀積氧化鋁薄膜尚未被研究過.在該文中,我們將報導制備氧化鋁薄膜的CLD新方法.首先,我們先仔細研究了化學液相淀積氧化硅薄膜的過程(主要是參考Houng等人的工作).然后,通過一套包括浸在水浴裝置中的聚四氟乙烯生長室的實驗裝置系統,我們完成了化學液相淀積氧化鋁薄膜的實驗過程.制備生長液所用的化學試劑包括Al<,2>(SO<,4>)<,3>·18H<,2>O、NaHCO<,3>和去離子水.這是一個無機鹽水解和高溫退火的