硅基應變材料表面生長動力學模型研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅基應變材料的生長技術經(jīng)歷了MBE(分子束外延)、UHVCVD(超高真空化學氣相淀積)和LPCVD(低壓化學氣相淀積),目前已發(fā)展到適于批量生產(chǎn)的RPCVD(減壓化學氣相淀積)。但與生長技術密切相關的生長機理及生長動力學模型的研究遠遠落后于生長技術的研究,嚴重影響了硅基應變材料生長技術的發(fā)展。本論文的主要工作就是研究SiGe材料的CVD生長機理與生長動力學模型。
　　 基于氣體的碰撞理論和吸附理論的研究,論文重點研究并建立了硅基

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