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1、硅MOS器件尺寸遵循摩爾定律不斷縮小,現(xiàn)已接近其物理極限。硅基應(yīng)變材料(鍺硅和應(yīng)變硅)以遷移率高、能帶結(jié)構(gòu)可調(diào)、且與傳統(tǒng)的體硅工藝兼容等諸多優(yōu)點(diǎn),成為保持半導(dǎo)體行業(yè)繼續(xù)遵循摩爾定律發(fā)展的新材料技術(shù)。
論文討論了硅基應(yīng)變材料生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué),研究了硅基應(yīng)變技術(shù)的原理,深入討論了硅基應(yīng)變材料的能帶結(jié)構(gòu)以及其傳輸特性,解釋了硅基應(yīng)變材料提高遷移率的原理。
論文深入研究了硅基應(yīng)變材料CVD生長(zhǎng)的邊界層理論、Grove理論及
2、菲克第一定律?;贑VD生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)理論,論文重點(diǎn)研究了硅基應(yīng)變材料CVD生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)中的計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)物理參數(shù)模型。
采用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)軟件FLUENT,論文構(gòu)建了基于RPCVD技術(shù)的反應(yīng)室腔體模型,定義了反應(yīng)室腔體模型的氣體進(jìn)出口邊界條件和壁面邊界條件。
利用FLUENT軟件,論文模擬仿真了反應(yīng)室腔體的溫度分布、氣體濃度分布、壓力分布和氣體速度矢量分布,分析了進(jìn)口流速、托盤轉(zhuǎn)速和反應(yīng)室壓強(qiáng)對(duì)溫
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