硅基應(yīng)變與弛豫材料的CVD生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型研究.pdf

1、SiGe／Si異質(zhì)材料的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,質(zhì)量良好的SiGe薄膜成為其應(yīng)用的基礎(chǔ)。目前生長(zhǎng)SiGe薄膜的方法有多種,其中CVD法的使用較為常見(jiàn)。SiGe薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程非常復(fù)雜,與多個(gè)因素相關(guān),如溫度、壓強(qiáng)、氣源、流量等,很多研究者都對(duì)其生長(zhǎng)過(guò)程及生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)進(jìn)行了研究,取得了不少成果。
　　 本文主要介紹了硅基應(yīng)變、弛豫材料的生長(zhǎng)機(jī)理、生長(zhǎng)方法、生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究方面的研究。采用了RPCVD生長(zhǎng)技術(shù),所采用的氣源為SiH4、SiH2Cl

2、2、GeH4和H2。生長(zhǎng)溫度分別為625℃、900℃,通過(guò)流量及溫度的改變來(lái)得到不同的淀積速率。
　　 根據(jù)Grove理論以及菲克第一理論,本文首次提出并建立了適用于硅基應(yīng)變及弛豫薄膜材料的CVD生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型。與以前鍺硅／硅異質(zhì)結(jié)材料生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型僅考慮表面反應(yīng)控制不同,本文同時(shí)考慮了表面反應(yīng)和氣相傳輸兩種控制機(jī)制,給出了兩種控制機(jī)制極限情況下的模型,該模型不僅適用于低溫鍺硅／硅應(yīng)變異質(zhì)結(jié)材料生長(zhǎng)的表征,也適用于表征高溫鍺硅／