鐵電薄膜存儲器存儲特性測試儀的研制.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、鐵電薄膜存儲器具有開關(guān)速度快,工作電壓低,存儲密度高,工作溫度范圍 大,耐輻射和非揮發(fā)性等優(yōu)點(diǎn).因此對鐵電薄膜存儲器(FRAM)的開發(fā)和研究引起了世界范圍的關(guān)注鐵電薄膜具有記憶特性是國為鐵電體具有電滯回線,因此,直接測試鐵電薄膜雙向極化后剩余極化的差別,是其它性能測試不能替代的.作者研究設(shè)計(jì)了鐵電薄膜存儲器存儲特性測試儀,用于鐵電薄膜的主要性能指標(biāo)的檢測.實(shí)際應(yīng)用表明,該儀有夠?qū)﹁F電薄膜存儲器進(jìn)行各種"讀/寫"操作.利用它對Au/BI

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