DRAM布局優(yōu)化及器件模擬.pdf

1、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）就是我們說(shuō)的內(nèi)存，是一種常見(jiàn)的儲(chǔ)存器件。它具有容量大、集成度高、價(jià)格便宜等特點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于各種消費(fèi)電子類(lèi)產(chǎn)品，如電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、機(jī)頂盒、PSP等，DRAM的價(jià)格變化直接牽動(dòng)著下游產(chǎn)品的價(jià)格。DRAM工藝復(fù)雜、是一項(xiàng)技術(shù)密集型的產(chǎn)業(yè)，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，具有技術(shù)更新快、市場(chǎng)巨大的特點(diǎn)。只有創(chuàng)新和積極進(jìn)行工藝升級(jí)才能確保行業(yè)的領(lǐng)先。DRAM芯片面積減小主要依靠DRAM存儲(chǔ)單元的面積減小，存儲(chǔ)單元布

2、局在決定芯片尺寸上起著重要作用。
　　 為了進(jìn)一步提高存儲(chǔ)密度和縮小DRAM面積，在原來(lái)8F2單元的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了新型6F2單元基本結(jié)構(gòu)單位，該結(jié)構(gòu)采取開(kāi)放式的新型布局后，存儲(chǔ)單元的面積比原來(lái)減少近四分之一，成本減少1/6。第二部分主要研究foundry中DRAM工藝流程，將6F2單元制造的過(guò)程分為前段制造（front end）和后道制程（back end）。前端主要為單個(gè)器件的制作，如電晶體、電容、邏輯門(mén)等，后段主要引入銅鋁金屬

3、制程，制作金屬互聯(lián)線上述各制程中所需技術(shù)十分復(fù)雜且資金投入很多，DRAM所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道。良率是芯片廠追求的核心，研究良率的測(cè)試方法后，實(shí)際分析一個(gè)生產(chǎn)中提高良率的例子。
　　 為了減少成本，各類(lèi)電路設(shè)計(jì)、器件仿真軟件開(kāi)始同漸廣泛應(yīng)用于電子電路中。本文嘗試使用仿真軟件silvaco對(duì)6F2單元進(jìn)行器件仿真，通過(guò)軟件創(chuàng)建仿真網(wǎng)格，并模擬淀積、幾何蝕刻、氧化、擴(kuò)散、退火以及離子注入的過(guò)程，模擬半導(dǎo)體器件，并通過(guò)調(diào)整注入時(shí)間，氧