DRAM器件制造的新工藝和電性測試參數(shù)的分析.pdf

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory)-動態(tài)隨機(jī)存儲器是一種常見的存儲器類型，由于具有結(jié)構(gòu)簡單，密度高，低功耗，價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，使其在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域和電子行業(yè)中越來越廣泛地被加以應(yīng)用。DRAM器件由于本身制造工藝的先進(jìn)性，使其一直作為半導(dǎo)體制造工業(yè)發(fā)展的標(biāo)桿，許多最先進(jìn)的制造工藝，都會首先應(yīng)用到DRAM器件的制造中，在一些重要的半導(dǎo)體制造工藝參數(shù)上，如最小線寬，單位面積邏輯比特，金屬連線層數(shù)，掩模層數(shù)和缺陷密度

2、，DRAM器件也體現(xiàn)出了最高的工藝水平。 本篇論文先是從DRAM的基本知識入手，論述了DRAM的基本結(jié)構(gòu)及其工作原理和工作時(shí)序。繼而，本篇論文對DRAM器件的晶圓制造工藝作了詳細(xì)地論述，包含了諸如：有源區(qū)的形成，柵極的形成，源漏極的形成，存儲電容的形成以及金屬互連等重要工藝，并以此為基礎(chǔ)，從作者的工程經(jīng)驗(yàn)出發(fā)，論述了目前一些DRAM器件晶圓制造的新工藝并且對未來DRAM器件晶圓制造工藝的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。隨后，論文針對本人的實(shí)

3、際工作，對DRAM器件的電性測試作了重點(diǎn)闡述，包括了對晶圓參數(shù)檢測的測試參數(shù)、測試結(jié)構(gòu)以及測試方法的論述；晶圓篩選檢測測試系統(tǒng)的論述和DRAM器件的晶圓篩選檢測的測試流程的論述，并在作者實(shí)際工作的基礎(chǔ)上論述了一些如何通過電性測試來提高器件良品率的工程經(jīng)驗(yàn)，在此過程中，著重論述了如何通過SmartTest方案來減少測試時(shí)間以及測試成本的工程實(shí)例。 本篇論文旨在通過對DRAM器件的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，制造工藝，電性測試的分析，從而著