DRAM器件制造的新工藝和電性測(cè)試參數(shù)的分析.pdf

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory)-動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是一種常見(jiàn)的存儲(chǔ)器類(lèi)型，由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，密度高，低功耗，價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，使其在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域和電子行業(yè)中越來(lái)越廣泛地被加以應(yīng)用。DRAM器件由于本身制造工藝的先進(jìn)性，使其一直作為半導(dǎo)體制造工業(yè)發(fā)展的標(biāo)桿，許多最先進(jìn)的制造工藝，都會(huì)首先應(yīng)用到DRAM器件的制造中，在一些重要的半導(dǎo)體制造工藝參數(shù)上，如最小線(xiàn)寬，單位面積邏輯比特，金屬連線(xiàn)層數(shù)，掩模層數(shù)和缺陷密度

2、，DRAM器件也體現(xiàn)出了最高的工藝水平。 本篇論文先是從DRAM的基本知識(shí)入手，論述了DRAM的基本結(jié)構(gòu)及其工作原理和工作時(shí)序。繼而，本篇論文對(duì)DRAM器件的晶圓制造工藝作了詳細(xì)地論述，包含了諸如：有源區(qū)的形成，柵極的形成，源漏極的形成，存儲(chǔ)電容的形成以及金屬互連等重要工藝，并以此為基礎(chǔ)，從作者的工程經(jīng)驗(yàn)出發(fā)，論述了目前一些DRAM器件晶圓制造的新工藝并且對(duì)未來(lái)DRAM器件晶圓制造工藝的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。隨后，論文針對(duì)本人的實(shí)

3、際工作，對(duì)DRAM器件的電性測(cè)試作了重點(diǎn)闡述，包括了對(duì)晶圓參數(shù)檢測(cè)的測(cè)試參數(shù)、測(cè)試結(jié)構(gòu)以及測(cè)試方法的論述；晶圓篩選檢測(cè)測(cè)試系統(tǒng)的論述和DRAM器件的晶圓篩選檢測(cè)的測(cè)試流程的論述，并在作者實(shí)際工作的基礎(chǔ)上論述了一些如何通過(guò)電性測(cè)試來(lái)提高器件良品率的工程經(jīng)驗(yàn)，在此過(guò)程中，著重論述了如何通過(guò)SmartTest方案來(lái)減少測(cè)試時(shí)間以及測(cè)試成本的工程實(shí)例。 本篇論文旨在通過(guò)對(duì)DRAM器件的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，制造工藝，電性測(cè)試的分析，從而著