電荷泵浦的測(cè)量方法和遂穿晶體管的可靠性模擬.pdf

1、半導(dǎo)體器件模擬工具通過(guò)數(shù)值計(jì)算，讓我們以虛擬的方式考察半導(dǎo)體器件內(nèi)部的工作和物理過(guò)程，從而幫助我們分析和理解器件的工作原理和特性，探索器件性能的改進(jìn)方法。本論文應(yīng)用技術(shù)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(TCAD)工具，模擬金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的可靠性和相關(guān)測(cè)試方法。
　　首先，我們介紹了TCAD常用器件模擬工具ATLAS和Medici的使用方法。通過(guò)模擬傳統(tǒng)MOSFET的電流電壓特性，我們?cè)敿?xì)解釋了模擬輸入文件中的具體指令。

2、然后，我們使用TCAD工具和Matlab軟件對(duì)電荷泵浦(CP)測(cè)量方法進(jìn)行了模擬，并提出了一個(gè)圖解方法來(lái)解釋MOSFET的CP測(cè)量過(guò)程和結(jié)果。結(jié)合模擬結(jié)果，我們把測(cè)量中的主要物理過(guò)程表示在一幅圖中，同時(shí)也用模擬結(jié)果和圖解表示解釋了用于可靠性研究的改進(jìn)的CP測(cè)量方法。最后，我們用TCAD工具模擬了隧穿晶體管(TFET)的特性，考察了TFET器件的可靠性并與傳統(tǒng)MOSFET做了比較。我們發(fā)現(xiàn)，TFET的驅(qū)動(dòng)電流Id的退化主要受到隧穿結(jié)附近～