雙極型絕緣柵晶體管終端可靠性的分析.pdf_第1頁(yè)
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1、高可靠IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件在工業(yè)領(lǐng)域中有著極為廣泛的應(yīng)用。終端結(jié)構(gòu)是 IGBT器件不可缺少的部分,高可靠性終端設(shè)計(jì)向來(lái)是困惱IGBT設(shè)計(jì)者的一大難題。由于國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)薄弱,經(jīng)驗(yàn)不足,高可靠性終端的設(shè)計(jì)與制造仍然還處于摸索階段,因而國(guó)產(chǎn)高可靠性IGBT產(chǎn)品還沒有真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額全部被Infineon,ABB,Mitsubishi等外國(guó)廠商壟斷。
　　為了實(shí)現(xiàn)高可靠性

2、IGBT的國(guó)產(chǎn)化,和國(guó)內(nèi)某知名半導(dǎo)體代工廠合作,開發(fā)高可靠性1700V NPT-IGBT商業(yè)化產(chǎn)品。本文在高可靠性終端分析及設(shè)計(jì)這一方面做了大量工作。
　　1、首先對(duì)功率器件的擊穿原理做了詳細(xì)分析,并根據(jù)高可靠性的要求,進(jìn)行終端選型。完成初步設(shè)計(jì),并流片實(shí)驗(yàn)。
　　2、測(cè)試初次流片樣品,并仿真分析,發(fā)現(xiàn)擊穿點(diǎn)位置的不合理選取是導(dǎo)致器件軟擊穿的主要原因,擊穿曲線蠕動(dòng)是由于表面擊穿導(dǎo)致的,可動(dòng)離子的再分布是造成高溫反偏失效的原因

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