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文檔簡介
1、本文主要研究了柔性p溝道低溫多晶硅薄膜晶體管（LTPS TFT）在重復(fù)彎曲和拉伸應(yīng)力下的機(jī)械應(yīng)力可靠性。受到反復(fù)彎曲和拉伸應(yīng)力后，它們的退化現(xiàn)象基本相同，閾值電壓向正方向移動，亞閾值區(qū)基本上沒有變化。機(jī)械應(yīng)力過程中會使得多晶硅層產(chǎn)生電子，從而使得閾值電壓發(fā)生變化。彎曲頻率越快和施加拉力越大都會加速器件退化。部分器件在機(jī)械應(yīng)力過程中發(fā)生損壞，損壞原因一般是金屬線或柵絕緣層和溝道層的斷裂造成器件失效。損壞位置一般位于兩種材料的界面處，ANS
2、YS仿真發(fā)現(xiàn)該位置有一個應(yīng)力突變，使得器件容易在此位置損壞。提醒我們可以在器件的上方加上應(yīng)力緩沖層來改善這種情況。
隨后，本文還研究了在負(fù)柵偏壓溫度應(yīng)力下（NBTS）的非晶銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管（a-IGZO TFT）的退化研究。在NBTS下，器件的閾值電壓會負(fù)向移動，并伴有亞閾值擺幅的退化，這是由于a-IGZO中的離子化的氧空位在電場的作用下發(fā)生移動，并在界面處發(fā)生積累造成的。此外我們發(fā)現(xiàn)拉伸指數(shù)模型可以很好的擬合閾值電壓的
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