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1、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的基于單一晶體管功能的硅集成電路,出現(xiàn)了很多困難的、急待解決的問題,而浮柵MOS晶體管(Floating-gateMOS),作為一種新型高功能度的單元晶體管,為解決集成電路中晶體管數(shù)目及互連線增多帶來的問題提供了一種有效的途徑。本論文主要對浮柵MOS器件的工作原理、特性及SPICE模型等進(jìn)行了分析,在此基礎(chǔ)上,以開關(guān)—信號理論為指導(dǎo),提出了基本門電路、四值編—譯碼電路、施密特觸發(fā)器、D鎖存器以及D觸發(fā)器等電路
2、的開關(guān)級設(shè)計。 利用浮柵MOS器件實現(xiàn)了基本門電路以及四值編—譯碼電路的設(shè)計,文中給出了詳細(xì)的設(shè)計方法、性能分析,并對所設(shè)計的電路進(jìn)行了HSPICE模擬,結(jié)果表明所設(shè)計的電路功能正確,與以往設(shè)計相比,這些電路具有結(jié)構(gòu)簡單,延遲較小,完全可以采用標(biāo)準(zhǔn)的雙層多晶硅CMOS工藝參數(shù)予以實現(xiàn)等特點(diǎn)。 將浮柵MOS器件的控閾技術(shù)用于施密特觸發(fā)器的設(shè)計中,設(shè)計出了與傳統(tǒng)CMOS器件設(shè)計相比結(jié)構(gòu)更簡單、功耗更低的施密特觸發(fā)器,并且進(jìn)一
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