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1、近年來(lái)波長(zhǎng)范圍在1.6-2.1μm的近紅外激光器引起研究人員們的注意,工作于此波段的激光器因其發(fā)射波長(zhǎng)與很多環(huán)境以及工業(yè)氣體,例如(CH4,HCL,H2O,CO,NO)的吸收譜線相一致,可用做氣體傳感的光源。大應(yīng)變InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反饋(DFB)激光器由于在上波導(dǎo)層制備有光柵,能夠輸出穩(wěn)定的單模激光,線寬在幾兆赫茲,遠(yuǎn)小于氣體分子的吸收線寬(百兆赫茲),并且DFB激光器的波長(zhǎng)可以被溫度和電流調(diào)諧,適合作為
2、氣體傳感系統(tǒng)的光源。本文圍繞長(zhǎng)波長(zhǎng)大應(yīng)變氣體傳感量子阱DFB激光器的研制開(kāi)展了以下幾個(gè)方面的工作:
⑴優(yōu)化了甲烷氣體探測(cè)用1.65μm MQW DFB激光器的制作工藝。目前,已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn)了1.65μm甲烷檢測(cè)用外延片的小批量生產(chǎn)能力。器件閾值電流小于25mA,功率大于10mW,量子效率大于20%,光譜線寬小于10MHz,邊模抑制比大于40dB。器件通過(guò)了老化篩選,預(yù)測(cè)激光器的壽命約為11年。管芯經(jīng)耦合封裝后,輸出光功率在注
3、入電流為Ith+80mA時(shí)大于8mW,完全滿足甲烷氣體的檢測(cè)要求。
⑵采用低壓金屬有機(jī)化合物氣相沉積法( LP-MOCVD)生長(zhǎng)并制作了波長(zhǎng)為1.7945μm的大應(yīng)變InGaAs/InGaAsP MQW DFB激光器,對(duì)應(yīng)一氧化氮的吸收譜線。采用生長(zhǎng)中斷技術(shù)改善了阱的質(zhì)量,引入載流子阻擋層提高了器件的溫度穩(wěn)定性。工作溫度在-20℃-50℃時(shí),腔長(zhǎng)為300μm未鍍膜管芯的閾值電流范圍為10 mA-35mA。20℃時(shí)閾值電流為
4、19.7 mA,輸出光功率在連續(xù)注入電流為100 mA時(shí)可達(dá)到9.9 mw。器件在很大的電流范圍內(nèi)保持單模工作,波長(zhǎng)調(diào)制率為0.012 nm/mA。激光器的特征溫度為58K,與傳統(tǒng)通訊用1.55微米InGaAsP分布反饋激光器的特征溫度相當(dāng)。
⑶采用LP-MOCVD方法生長(zhǎng)并制作了波長(zhǎng)為1.82μm、1.84μm、1.86μm、1.9μm的大應(yīng)變InGaAs/InGaAsP MQW DFB激光器,對(duì)應(yīng)水汽的吸收譜線。采用生
5、長(zhǎng)中斷和應(yīng)變緩沖層技術(shù)改善了阱的質(zhì)量,引入載流子阻擋層提高了器件的溫度穩(wěn)定性。其中1.82μmDFB激光器光譜的邊模抑制比大于30dB,波長(zhǎng)隨電流和溫度近似線性變化,調(diào)制率分別為0.013nm/mA和0.12nm/℃,特征溫度為58K。腔長(zhǎng)300μm未鍍膜管芯的閾值電流小于25mA,注入電流100mA時(shí)功率大于8mW。器件均通過(guò)老化篩選,預(yù)測(cè)激光器的壽命約為11年。經(jīng)耦合封裝后,出纖光功率在65mA注入電流下大于3mW,滿足水汽檢測(cè)的要
6、求。1.84μmDFB激光器光譜的邊模抑制比大于30dB,波長(zhǎng)的電流調(diào)制率為0.011nm/mA。1.86μmDFB激光器光譜的邊模抑制比為38.9dB,波長(zhǎng)的電流調(diào)制率為0.014nm/mA。腔長(zhǎng)600μm未鍍膜管芯的閾值電流約40mA,出光功率大于7mW。1.9μmDFB激光器光譜的邊模抑制比大于25dB,腔長(zhǎng)600μm未鍍膜管芯的閾值電流在30mA左右。本文針對(duì)甲烷、一氧化氮、水汽等氣體的檢測(cè)需求,研究制作了1.6μm-1.9μm
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