高特征溫度AlInGaAs-AlGaAs應(yīng)變量子阱激光器的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了解決半導(dǎo)體激光器在高溫、高功率情況下工作時(shí)，出現(xiàn)的閾值電流升高，波長漂移，發(fā)光效率下降等問題，我們設(shè)計(jì)并制作了具有高特征溫度的AlInGaAs/AlGaAs應(yīng)變量子阱激光器。 首先我們提出影響量子阱激光器特征溫度的四個(gè)主要因素，并對(duì)其進(jìn)行了理論分析。以AlInGaAs/AlGaAs為例研究了應(yīng)變對(duì)提高激光器特征溫度的優(yōu)勢。通過綜合考慮各個(gè)因素，我們對(duì)AlInGaAs/AlGaAs激光器進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，并成功制作出波長為808

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