GaSb基銻化物量子阱激光器材料的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文從理論上分析了GaSb基銻化物半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)，主要包括通過二元系和三元系材料參數(shù)的線性插值計算InGaAsSb，AlGaAsSb四元系材料的晶格常數(shù)、禁帶寬度、折射率等。對InGaAsSb/AlGaAsSb應(yīng)變量子阱的能帶結(jié)構(gòu)、激射波長進行理論分析，并采用力學(xué)平衡模型計算了此應(yīng)變材料體系在生長時的臨界厚度。通過這些理論分析，優(yōu)化了激光器的結(jié)構(gòu)和各層材料的組分、厚度等參數(shù)，為材料生長和器件制備提供了理論依據(jù)。采用分子束外延(MB

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