Tm：YAP晶體生長(zhǎng)與缺陷分析.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本論文采用提拉法生長(zhǎng)b軸方向的摻銩鋁酸釔(Tm：YAP)晶體，通過(guò)改善生長(zhǎng)過(guò)程中各個(gè)工藝環(huán)節(jié)，獲得多支尺寸為φ(40～50)mmx(80～100)mm的Tm：YAP晶體，其中部分晶體有開(kāi)裂、云層等宏觀缺陷。
　　 討論了Tm：YAP晶體常見(jiàn)缺陷，并細(xì)致研究了晶體開(kāi)裂、色心和云層的形成機(jī)理，得出晶體開(kāi)裂主要是由于溫場(chǎng)不穩(wěn)定等因素導(dǎo)致的；色心與晶體中離子失位、電荷不平衡等因素有關(guān)系；云層不僅和原料不純、配比有關(guān)系還很可能同生長(zhǎng)界面曲

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