MEMS真空封裝關(guān)鍵技術(shù)研究.pdf

1、目前，MEMS芯片的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，但是，由于MEMS封裝技術(shù)的研究明顯滯后，使許多MEMS芯片沒有得到實(shí)際應(yīng)用，限制了MEMS的發(fā)展。在MEMS封裝技術(shù)中，MEMS真空封裝是一個(gè)需要重點(diǎn)研究的課題，因?yàn)榇蠖鄶?shù)的MEMS器件都需要真空封裝，這些器件內(nèi)部都具有可動(dòng)部件或者真空腔體，只有采用真空封裝，才能獲得較好的性能。而現(xiàn)在國(guó)內(nèi)外的真空封裝技術(shù)還很不成熟，存在成本高、可靠性不好等問題。因此，本文在真空封裝的理論、設(shè)備及工藝等方

2、面作了一些探討，具體內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)如下： 首先，應(yīng)用真空物理相關(guān)理論,分析了封裝腔體的真空度與氣體吸附和脫附、氣體通過小孔的流動(dòng)之間的關(guān)系；探討了器件級(jí)與圓片級(jí)真空封裝的基本工藝原理。 然后，自主研制了一種MEMS真空封裝工藝設(shè)備，該設(shè)備具有抽取真空、加熱及溫度控制、冷卻、對(duì)準(zhǔn)及力加載等功能，可以滿足若干真空封裝關(guān)鍵工藝的需求。 其次，從理論上分析了真空度對(duì)MEMS器件品質(zhì)因數(shù)的影響，以及對(duì)微陀螺儀進(jìn)行真空封裝的必