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文檔簡介
1、本論文通過在直拉硅中摻入一些雜質(zhì)來改善硅單晶的性能，首先系統(tǒng)研究了摻氮和重摻硼對直拉硅中位錯、氧沉淀和空洞型缺陷的影響行為并揭示了其機理，完善了這兩種摻雜直拉硅的缺陷工程理論；并且在國際上首次提出通過摻鍺來控制和利用直拉硅中的微缺陷，取得了如下一批創(chuàng)新性的成果，這些成果對解決目前ULSI對大直徑直拉硅單晶缺陷工程的迫切要求具有非常重要的意義。1)研究了摻氮、摻鍺和重摻硼在籽晶中對晶體引晶生長過程中位錯產(chǎn)生行為的影響，發(fā)現(xiàn)了摻氮、摻鍺籽晶
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