常壓射頻冷等離子體系統(tǒng)及其在光刻膠去除技術(shù)中的應(yīng)用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本課題研制了常壓射頻噴槍式冷等離子體和浸入式冷等離子體兩種設(shè)備，后者的直徑為150mm，是目前世界上已報道的能達到的最大放電面積。文章對該等離子體的放電特性和溫度特性做了詳細的研究。通過控制輸入功率、氣體組分和極板間距離，得到了大面積均勻穩(wěn)定的等離子體。溫度分布結(jié)果表明氬等離子體的溫度很低，小于150℃，不會對半導(dǎo)體器件造成熱損傷。對以上物理特性的研究表明，常壓射頻低溫冷等離予體滿足光刻膠去除技術(shù)對等離子體的要求，可以用來進行光刻膠去除

2、實驗研究。 用自行研制的直徑為150mm的浸入式等離子體設(shè)備分別對光刻膠S991 2和聚酰亞胺進行了實驗研究。結(jié)果表明功率、氧氣的流量百分比、以及襯底溫度對光刻膠去除速率有著非常重要的影響。去膠速率隨著功率和襯底溫度的增加而迅速增加。在功率和襯底溫度一定時，去膠速率隨著氧氣與氬氣比例的增加而增加，在氧氣/氧氣流量比達到1％時，去膠速率達到最大值。工業(yè)上一般的去膠速率可達每分鐘幾百納米，我們在輸入功率為300W，氬氣的流量為5L/

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